一、可控硅電源開(kāi)關(guān)特性

一般用以TSC技術(shù)性的底壓動(dòng)態(tài)補(bǔ)償用的可控硅電源開(kāi)關(guān)都選用功率大的可控硅反串聯(lián)封裝，其額定電壓達(dá)到百余安培，反方向抗壓達(dá)到1800v之上。因?yàn)槠渚邆潆娏こ屉娮釉骷奶攸c(diǎn)，因而在根據(jù)檢驗(yàn)工作電壓過(guò)零點(diǎn)時(shí)給可控硅開(kāi)啟數(shù)據(jù)信號(hào)保持無(wú)觸點(diǎn)、無(wú)涌流投切，而且響應(yīng)速度快，在一個(gè)半波型周期時(shí)間內(nèi)就能保持開(kāi)啟通斷。因?yàn)榭煽毓鑼偌呻娐饭に嚕☉B(tài)電流量較為大時(shí)，也有一定的發(fā)燙。

二、復(fù)合開(kāi)關(guān)特性

復(fù)合開(kāi)關(guān)又叫機(jī)電一體化電源開(kāi)關(guān)，是由交流接觸器和可控硅相串聯(lián)封裝而成。其通斷運(yùn)用可控硅保持無(wú)涌流投切，投切進(jìn)行后再將交流接觸器主控制回路合閉，并撤出可控硅。這一優(yōu)勢(shì)是運(yùn)作時(shí)發(fā)燙相對(duì)性于可控硅稍小一些。

復(fù)合開(kāi)關(guān)因交流接觸器與可控硅的互相牽制造成沒(méi)法保持很大的通態(tài)電流量，反方向抗壓只有做到1600v而且投切全過(guò)程繁雜，可控硅分?jǐn)嘟?jīng)常，非常容易被穿透，導(dǎo)致返修率較高，一般用以農(nóng)網(wǎng)臺(tái)區(qū)的小容量補(bǔ)償。

三、二者運(yùn)用的區(qū)別

最先從運(yùn)作維護(hù)保養(yǎng)上考慮到，一般 用三只單相電的可控硅固定不動(dòng)在鋁合金型材強(qiáng)制性風(fēng)冷式熱管散熱控制模塊上，中后期維護(hù)保養(yǎng)便捷，如出現(xiàn)某只可控硅毀壞可迅速拆換，別的可控硅可再次應(yīng)用。因?yàn)閺?fù)合開(kāi)關(guān)選用交流接觸器與可控硅小型三端封裝，如內(nèi)部隨意構(gòu)件出現(xiàn)常見(jiàn)故障，只有將總體拆換，中后期維護(hù)費(fèi)高。

從工程造價(jià)上考慮到，假定某一套補(bǔ)償設(shè)備容量360kvar，如選用復(fù)合開(kāi)關(guān)，其單組較大容量為30kvar，也就是該套設(shè)備必須分12個(gè)環(huán)路，而采用可控硅做為投切電源開(kāi)關(guān)，其較大 單組容量為90kvar，如依照30+60+90+90+90分組可在保持一樣補(bǔ)償實(shí)際效果的前提條件下降低七個(gè)環(huán)路，因而減少了一定的工程造價(jià)。

從安裝上考慮到，在配變壓器的前提條件下，以1000*1000*2200的GCK柜門(mén)特征分析，選用復(fù)合開(kāi)關(guān)安裝12環(huán)路，將必須雙面柜門(mén)。如選用可控硅做為投切電源開(kāi)關(guān)只需一面柜門(mén)就可以。