可控硅基本伏安特性

　　（1）反向特點(diǎn)

　　當(dāng)操縱極引路，陽極氧化再加反向工作電壓時(shí)（詳細(xì)圖2），J2結(jié)正偏，但J1、J2結(jié)反偏。這時(shí)只有穿過不大的反向飽和狀態(tài)電流，當(dāng)工作電壓進(jìn)一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿工作電壓后，接差J3結(jié)也熱擊穿，電流快速提升，圖3的特點(diǎn)剛開始彎折，如特點(diǎn)AN段圖示，彎曲處的工作電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折點(diǎn)工作電壓”。這時(shí)，可控硅會(huì)產(chǎn)生永久反向。

　　陽極加上反向電壓

　?。?）正向特點(diǎn)

　　當(dāng)控制極開路，陽極氧化上再加正向工作電壓時(shí)（見圖3），J1、J3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏，這與一般PN結(jié)的反向特點(diǎn)類似，也只有穿過不大電流量，這叫正向阻隔情況，當(dāng)工作電壓提升，圖3的特點(diǎn)發(fā)生了彎折，如特點(diǎn)OA系統(tǒng)段圖示，彎曲處的是UBO叫：正向轉(zhuǎn)折點(diǎn)工作電壓

　　陽極加正向電壓

　　因?yàn)楣ぷ麟妷荷仙絁2結(jié)的雪崩擊穿工作電壓后，J2結(jié)產(chǎn)生山崩增長效用，在結(jié)區(qū)造成很多的電子器件和空化，電子器件時(shí)入N1區(qū)，空化時(shí)入P2區(qū)。進(jìn)到N1區(qū)的電子器件與由P1區(qū)根據(jù)J1結(jié)引入N1區(qū)的空化復(fù)合型，一樣，進(jìn)到P2區(qū)的空化與由N3區(qū)根據(jù)J3結(jié)引入P2區(qū)的電子器件復(fù)合型，雪崩擊穿，進(jìn)到N1區(qū)的電子器件與進(jìn)到P2區(qū)的空化分別不可以所有復(fù)合型掉，那樣，在N1區(qū)就會(huì)有電子器件累積，在P2區(qū)就會(huì)有空化累積，結(jié)果使P2區(qū)的電位差上升，N1區(qū)的電位差降低，J2結(jié)變?yōu)檎?，要是電流量稍提升，工作電壓便快速降低，出現(xiàn)說白了負(fù)阻特點(diǎn)，見圖3的虛線AC段。

　　這時(shí)候J1、J2、J3三個(gè)結(jié)均處在正偏，可控硅便進(jìn)到正向?qū)щ娦郧闆r---通態(tài)，這時(shí)，它的特點(diǎn)與一般的PN結(jié)正向特點(diǎn)類似，（由此可見圖2中的BC段）。

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